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2016 年度 研究成果報告書

SiC半導体デバイス基板の汎用加工技術を実現する電界ラッピング技術の開発

研究課題

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研究課題/領域番号 26420068
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 生産工学・加工学
研究機関秋田県産業技術センター

研究代表者

久住 孝幸  秋田県産業技術センター, 素形材プロセス開発部, 主任研究員 (40370233)

連携研究者 赤上 陽一  秋田県産業技術センター, 副所長 (00373217)
研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2017-03-31
キーワードスラリー / 研磨 / ラッピング / 電界 / 半導体 / ウェーハ
研究成果の概要

炭化ケイ素パワー半導体普及に貢献するため,基板加工のラッピング工程において,表面品位向上と加工効率向上の両立を図る新たな「電界ラッピング技術」を提案し,その研磨加工メカニズムの解明を試みた.観察実験を通して,電界による砥粒の集散には印加周波数依存性があり固有周波数が存在することが分かった.また,サファイアを試料とした電界ラッピング実験を実施し,研磨効率向上効果と,研磨品位向上効果を確認した.

自由記述の分野

精密加工

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公開日: 2018-03-22  

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