SiC結晶表面に機械加工で導入された結晶欠陥の形成メカニズムの解明

2016 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 26420071
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 生産工学・加工学
• 研究機関: 一般財団法人ファインセラミックスセンター
• 研究代表者: 石川 由加里 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主席研究員 (60416196)
• 研究期間 (年度): 2014-04-01 – 2017-03-31
• キーワード: 材料工学 / 単結晶 / 加工 / 潜傷 / 転位 / 積層欠陥

研究成果の概要

砥粒の動きを制御したモデル加工を４H-SiC結晶に施し、結晶に導入された欠陥の構造と加工条件の対応を調べた。砥粒の平行移動のみの固定砥粒ワイヤーソー切断では、欠陥は均一に分布し、高密度欠陥層、転位ハーフループ、積層欠陥が形成されるが、砥粒の転動運動を含む遊離砥粒ワイヤーソー切断では欠陥は不均一に分布し、積層欠陥に加え、逆三角形のダメージ領域とその下に伸びる転位ハーフループ束が観察された。

自由記述の分野

材料工学