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チョクラルスキー法で作成する半導体用シリコン単結晶の高品位化を目的とし、ルツボ内の導電性融液の流れを精密に制御するため、回転磁場印加や、垂直磁場印加下で融液に電流をながす電流－磁場印加による流れの制御効果について、モデル実験と数値解析により検討を行った。この結果従来の静磁場印加に対し、回転磁場による磁束密度や磁場回転数の変化は、電流－磁場印加での場磁束密度や印加電流の変化は、数ｍT～数十ｍTの弱い磁束密度でも、結晶回転方向の流れを逆転できる強い流れの制御効果があり、またこれによる周方向流れにより、軸方向流れの制御も可能なことがわかった。
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