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Eu添加GaNは超狭線幅・発光波長の温度安定性の特徴を有する発光デバイスへの応用が期待できる。本研究では，本材料の発光効率の改善に向けて，(1)母材の検討，(2)Mg共添加による発光強度増大メカニズムの解明，(3)高濃度Eu添加GaNナノコラム結晶の成長，(4)ナノコラムLEDの作製，(5)規則配列InGaN:Eu/GaN QWナノコラムの作製に取り組んだ。我々は励起断面積の高い発光サイトの優先的形成，窒素源選択の重要性を明らかにし，またAlGaNによる光学的活性化，ナノコラムによる濃度消光の抑制，ナノコラムLEDからのシャープな発光の観測，形状制御による発光特性制御に成功した。
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