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2016 年度 研究成果報告書

(Cu,C)系レアアースレス超伝導薄膜材料の高Ic化・実用形成技術の開発

研究課題

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研究課題/領域番号 26420275
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関鹿児島大学

研究代表者

寺田 教男  鹿児島大学, 理工学域工学系, 教授 (20322323)

研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2017-03-31
キーワード超伝導材料 / 表面・界面物性 / 薄膜 / レアアース・レス
研究成果の概要

低成長温度・レアアースレス等の工学的特徴を有するが、当初、機能発現部位が局限されていた高温超伝導(Cu, C)-1201相を基幹とする積層構造において,超平坦バッファの作成条件の確立とその導入により当該構造の超伝導発現の起源である界面歪み効果を広域で発現させることで超伝導発現部位を積層構造の上部領域への拡張を達成するとともに、併せて、超伝導臨界温度の飛躍的上昇に成功した。また、単一ターゲットからの形成された薄膜においても超伝導性の発現に成功し、当該構造の幅当たりの臨界電流向上、レアアース・レス超伝導薄膜の実用的作成法開発のための基盤的手法の開発を達成した。

自由記述の分野

超伝導材料・素子、太陽電池、電子分光

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公開日: 2018-03-22  

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