2016 年度研究成果報告書

フレキシブル塗布型有機トランジスタメモリの実現に向けた基盤技術開発

研究課題

研究課題/領域番号	26420276
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	大阪府立大学
研究代表者	永瀬隆大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (00399536)
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2017-03-31
キーワード	有機トランジスタ / 有機メモリ / 塗布型有機半導体 / フローティングゲート / 溶液プロセス / トップゲート構造
研究成果の概要	可溶性低分子半導体をフローティングゲートとして利用することで、電荷蓄積層、有機半導体層及びゲート絶縁層の全有機層を簡易的な溶液プロセスで作製できる不揮発性有機トランジスタメモリを開発することに成功した。開発したメモリ素子は大きな閾値電圧シフトを示し、良好な書込／消去特性、比較的長い電荷保持特性が得られることが分かった。この様なメモリ動作が有機半導体のエネルギーバンドダイアグラムで説明できることを示した。
自由記述の分野	有機エレクトロニクス