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InP基板上Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体タイプⅡヘテロ材料の特性評価及びデバイス応用を行った。ZnCdSe/BeZnTeヘテロ接合における伝導帯バンド不連続をn-i-nダイオード用いて評価する手法を提案した。ZnCdSe/BeZnTeタイプⅡ超格子の光吸収特性を光起電力スペクトルの測定により評価し、フォトルミネッセンス特性と比較検討した。レーザにおけるキャリア注入特性を理論解析により検討し、構造の最適化を進め、実験により検証した。MgSe/ZnCdSe共鳴トンネルダイオードを作製し、室温での電圧電流特性において明確な負性抵抗を確認した。
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