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2016 年度 研究成果報告書

低誘電率絶縁膜の電荷捕獲メモリへの応用に関する研究

研究課題

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研究課題/領域番号 26420280
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関東海大学

研究代表者

小林 清輝  東海大学, 工学部, 教授 (90408005)

研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2017-03-31
キーワード不揮発性メモリ / シリコン炭窒化膜 / 電荷トラップ / フラッシュメモリ
研究成果の概要

シリコン炭窒化膜(SiCN膜)を電荷捕獲膜とする不揮発性メモリ素子を試作し、メモリ特性及び、キャリヤの注入・捕獲過程について調べた。シリコン窒化膜を用いた従来型の素子に比べてSiCN素子では約1桁速い消去速度が得られ、この特性がSiCN膜の正孔注入に対するエネルギー障壁が低いことに起因することを示した。また、SiCN膜に捕獲された電子のエネルギー深さがシリコン窒化膜と同程度であること及び、SiCN-SiO2界面の伝導帯のバンドオフセットがシリコン窒化膜-SiO2界面に比べて大きいことを明らかにした。この様なSiCN素子のバンド構造が低温でのSiCN素子の優れた電子保持特性の一因と考えられる。

自由記述の分野

半導体デバイス工学、電気電子材料工学

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公開日: 2018-03-22  

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