2016 年度研究成果報告書

新規ジャーマネイト系高誘電率ゲート絶縁膜材料の探索と低温直接形成法に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号	26420281
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	諏訪東京理科大学
研究代表者	福田幸夫諏訪東京理科大学, 工学部, 教授 (50367546)
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2017-03-31
キーワード	誘電体薄膜 / 表面・界面物性 / 超薄膜 / MOS構造 / プラズマ酸化 / 原子層堆積法 / 金属ジャーマネイト / ゲルマニウム
研究成果の概要	本研究課題では、マイクロ波リモートプラズマにより生成した原子状酸素を酸化剤として用いた原子層堆積(REALD)法によるゲルマニウム基板上への高誘電率金属ジャーマネイトの低温直接形成法とゲルマニウムMOSFETのゲート絶縁膜形成への応用について研究を行った。その結果、REALD法による金属ジャーマネイトの形成機構を解明するとともにSiO2換算膜厚1ナノメータのGe-MOSキャパシターを得ることができた。
自由記述の分野	工学