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本研究では、①ゲート局所照射と②異方的な量子ドットの埋込みの２つの手法を用いて、面内光電流を高電子移動度トランジスタに発生させることを試みた。
トランジスタのゲートの非対称な位置にレーザー光を照射すると、電流の循環が生じ、面内光電流が発生することを示した。特に、ゲート端を照射した時、電流は最大となり、その値は9μA/mWに達した。また、異方的な量子ドットを埋め込んだトランジスタを作製し光電流を調べた。その結果、端面照射により75nA/mWの面内光電流が発生することを示した。
本研究では、量子構造の作製評価も目的の１つであり、InGaAs量子細線やGaSb量子ドットの光学特性を明らかにした。
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