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半導体量子ドットを光源とする導波路エバネッセント結合型ハイブリッドシリコンレーザを実現した。本デバイスは、InAs半導体量子ドットを光ゲイン媒体とし、シリコン光導波路にレーザ光が直接的に入射されているものであり、ウェハ接合および薄膜転写技術により作製した。既存のハイブリッドシリコンレーザはいずれも量子井戸をゲイン媒体としており、今回高性能な量子ドットを採用することによって、世界最高温度動作を達成した。この成果は、特に高い温度特性が要求される高密度光集積回路の開発における重要な布石であり、次世代の高速・大容量・低消費電力演算・通信の実現に繋がるものである。
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