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2017 年度 研究成果報告書

電流ストレス印加CVDおよびアニールによるグラフェン配線の低抵抗化

研究課題

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研究課題/領域番号 26420319
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関芝浦工業大学

研究代表者

上野 和良  芝浦工業大学, 工学部, 教授 (10433765)

研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2018-03-31
キーワードグラフェン配線 / 化学的気相成長 / 固相析出 / 電流印加 / エレクトロマイグレーション / 低温プロセス / 結晶性 / 集積回路
研究成果の概要

多層グラフェン(MLG)は、ナノサイズの微細配線材料として期待されているが、低温で結晶性の良い膜を成膜する方法の確立が、MLG配線実現のための最大の課題である。本研究では、加熱(温度)以外に電流の作用を用いて、MLG膜形成の低温化と膜質向上を実現し、その作用メカニズムを明らかにした。本研究によって、電流印加という新たな手段で膜質の良いMLG膜を低温で形成でき、ナノサイズ配線の低抵抗化につながることが期待できる。

自由記述の分野

電極配線プロセス技術

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公開日: 2019-03-29  

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