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半導体及び金属薄膜では金属―絶縁体転移がキャリア数によって発現することがしられている。そこでキャリア数の変調すなわちFET構造で膜の物性を変化させることで、多機能なタンデム型素子の実現を目指している。そこで酸化インジ ウム亜鉛（ＩＺＯ）膜を成膜時の酸素濃度を変えて成膜し、金属―絶縁体転移の詳細を 調べた。次に超伝導-ＩＺＯ-超伝導で構成させるトンネル接合を作製し、輸送特性を評価した。結果、電流―電圧特性の非線形性と非対称性を確認することができた。この非対称性は、超伝導電極の界面との近接効果が上部電極と下部電極で異なる、ＩＺＯ 膜で膜中の酸素移動が極低温で起きていること等が原因として考えられる。
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