研究課題
基盤研究(C)
金属/半導体界面に電圧印加するため、アルミナとチタン薄膜を用いたTEM試料支持体を作製した。その支持体に、金属/半導体界面を有する部位を固定した。金属半導体界面を均一厚さで、損傷の無いTEM観察試料を仕上げる技術および、金属/半導体界面に電圧印加する配線技術を確立した。金属/半導体界面に、順バイアスおよび逆バイアスを印加し、電流－電圧測定を行った。さらに、電子線ホログラフィー観察による金属近傍の半導体内部における電位分布の変化から、印加電圧と空乏層厚さの関係を明らかにすることができた。
工学
