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環境セル型透過電子顕微鏡に用いる高強度隔膜としてa-SiCN隔膜に着目し、その作製手法として磁場・パルスプラズマ援用化学気相成長法（MPECVD）を開発した。a-SiCN隔膜作製のための原料ガスとして、大気中で安定なヘキサメチルジシラザンと窒素およびアルゴンを用いて作製した。磁場を印加することにより、通常のプラズマCVDに比べて成膜速度の向上がみられた。様々な条件により隔膜はCuグリッドの穴を覆うように作製し、その評価を赤外分光法、光電子分光法および透過電子顕微鏡などで評価した。その結果、パルス電圧を上げ、窒素の流量を上げ、さらに反応容器内の圧力を下げることで高強度を示す隔膜の開発に成功した。
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