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La(OH)3とSiO2粉末を、静電吸着を利用した液中ヘテロ凝集法を用いて十分かつ均一に混合することで、組成ずれの無いランタンシリケート（LSO）単相の粉末を多量に合成できることを示した。次いで、強磁場コロイドプロセス法を用いてLSOのc軸配向バルク体が作製できることを示した。配向多結晶体において顕著な電導度異方性が認められ、配向体c軸平行方向＞無配向体＞配向体c軸垂直方向の順に伝導度が高かった。さらに、c軸配向体を電解質としたセルでは、無配向体を電解質としたセルに比べ、およそ3倍高い出力密度が得られ、SOFC電解質にランタンシリケートのc軸配向体を用いる有効性を初めて示すことができた。
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