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本研究は，次世代パワーエレクトロニクス材料として優れた特性を有する広禁制帯幅化合物半導体のコンタクト電極形成に関する諸問題の中からp型GaNとn型SiCの電極形成プロセスの制御に取り組んだ。p型GaNにおいては電極直下のGaN中の有効正孔濃度を増加させるため，アクセプター元素を不活性化させている原因である水素原子を除去することを目的に，熱処理中に電極間に電圧を印加した。その結果，電気伝導度の向上に効果があることを実証した。n型SiCではNiを成膜して熱処理した電極が電気伝導特性に優れるが脆弱である問題を，Ni上にTiを積層して熱処理することによって改善できることを実証した。
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