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2016 年度 研究成果報告書

燐光現象を利用した低温場の高速測定技術の構築とその光アニールプロセスへの応用

研究課題

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研究課題/領域番号 26420717
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 複合材料・表界面工学
研究機関国立研究開発法人産業技術総合研究所

研究代表者

篠田 健太郎  国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進コーティング技術研究センター, 主任研究員 (10442732)

研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2017-03-31
キーワードエキシマレーザー / 塗布光照射法 / 高速温度計測 / 放射温度計測 / 燐光寿命計測 / 酸化物薄膜
研究成果の概要

機能性酸化物の大気圧下での低温製膜プロセスの実現に向けて、塗布光照射法では、ナノ秒の紫外エキシマパルスレーザーを塗布膜に照射した時の光結晶成長機構の解明が重要な課題である。そこで、本研究では、低温ほど信号強度が増大する燐光現象に着目し、高速測定で実績のある放射測温と組み合わせることにより、レーザー照射時の温度場の定量的理解を目指した。温度場はレーザー照射数の増大に連れて大きく変化することなど光結晶成長機構に関する理解が進んだ他、燐光寿命からレーザー照射時の温度場の推定が可能であることを確認できた。

自由記述の分野

セラミックコーティング

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公開日: 2018-03-22  

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