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本研究では，二次元平面のタイリングに基づく新規ナノ構造体の構造制御技術を提案・確立し，既存のリソグラフィー技術では作製困難な高次構造体を作製すると共に，得られた構造体を次世代ナノデバイスとして応用展開することを目的として研究を進めてきた。その中でも特に，自発的に形成される化合物半導体ナノ構造の規則性・制御性，それらの制御原理を明らかにすることに重点をおいて研究に取り組んできた。以下に研究期間全体を通じての研究成果の概略を記す。
2014年度，2015年度は，異方性エッチングを利用した半導体ナノ空間の制御に取り組み，Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体であるGaAsを加工対象として，アノードエッチングを用いたポーラスGaAsの作製ならびに結晶異方性エッチングに対するエッチング液（エッチャント）組成，エッチング時間などの影響に関して調査を行った。2016年度は，前年度までに収集した基礎データを基に金属触媒を利用したGaAsの化学エッチング（金属触媒エッチング）に取り組んだ。100 nm周期で規則的に金属触媒を付与したGaAs基板を酸化剤の異なるエッチャント中でエッチングし，酸化剤濃度，温度，エッチング時間が最終的に得られるエッチング形態に強く影響を及ぼすことを明らかにした。また，金属触媒で被覆した化合物半導体の表面積と周辺の未被覆部の面積割合もまた最終的に得られる表面の幾何学構造に影響を及ぼす因子であった。本研究を通じて得られた成果は国内外の学術会議で発表を行った。
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