| 研究課題/領域番号 |
26420765
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| 研究機関 | 金沢大学 |
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研究代表者 |
春木 将司 金沢大学, 機械工学系, 准教授 (90432682)
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| 研究分担者 |
滝嶌 繁樹 広島大学, 工学研究院, 教授 (10188120)
木原 伸一 広島大学, 工学研究院, 准教授 (30284524)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | ポリイミド / 蒸着重合 / 超臨界二酸化炭素 / 薄膜 |
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| 研究実績の概要 |
28年度は、微細構造中へのPMDA－TFDB（カプトン系テトラカルボン酸二無水物－フッ素系ジアミン）系ポリイミドの埋め込みについて、マイクロスケールのトレンチを付したシリコンウエハを用い、操作条件とトレンチ内へのポリイミドの充填量の関係について詳細に検討した。その結果、基板温度が下がるにつれ、また、モノマーの供給濃度が高いほどトレンチ内のポリイミドの充填量が上昇した。特に基板温度が50～100℃においては、トレンチ底部から基板表面まで埋め込むことに成功した。充填されたポリマーのイミド化の程度をFT－IRにより分析した結果、50～75℃ではイミド化はほとんど進行しておらず、大部分がポリイミド前駆体のポリアミド酸であり、充填後にイミド化の必要があることが分かった。
この結果を参考に、これまでの研究において、埋め込むことが困難であったカプトン系ポリイミドであるPMDA－ODA系ポリイミドの埋め込みについて詳細に検討した。その結果PMDA－TFDB系の場合と同様に、基板温度50～75℃において、モノマー供給濃度を高くすることによってPMDA－ODA系のポリアミド酸を埋め込むことができた。これにより、PMDA－TFDB系ならびにPMDA－ODA系ポリイミドともに、埋め込み後のイミド化操作の必要があるものの、先にポリイミドの状態での埋め込みに成功している6FDA－TFDBフッ素系ポリイミドと同様、微細な空間へ充填することを可能とし、カプトン系ポリイミド、フッ素系ポリイミドならびにカプトン－フッ素系ポリイミドいずれにおいても超臨界二酸化炭素を利用した埋め込みが適用できることを示した。
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