2015 年度研究成果報告書

半導体ドット中の単一スピンの制御とメモリーへの応用

研究課題

研究課題/領域番号	26600008
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	ナノ構造物理
研究機関	筑波大学
研究代表者	黒田眞司筑波大学, 数理物質系, 教授 (40221949)
連携研究者	三留正則物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 研究員 (50354410)
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2016-03-31
キーワード	量子ドット / 磁性スピン / スピントロニクス
研究成果の概要	CdTe自己形成ドット中にCr原子1個を添加した系を作製し、Cr 3d電子による単一磁性スピンのドット中での振舞いを調べた。顕微分光測定の結果、ドット1個からの発光はドット中のCr 3d電子スピンのz方向成分の0, ±1に応じた3本の発光線への分裂が観測され、面内の格子歪に起因する大きな磁気異方性の影響下にあることが明らかとなった。また試料面に垂直方向に磁場下での発光測定では、励起子のゼーマンシフトと異なる量子準位の発光線との間の反交差現象による複雑な振舞いが観測された。
自由記述の分野	半導体物理