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強誘電体メモリの集積度向上のため，3次元微細構造内への強誘電体薄膜の高速均一形成が求められている。本研究では，超臨界流体薄膜堆積法SCFDを検討した。TiO2製膜の表面反応速度定数及び拡散係数を評価し，埋め込み性と高速成長を両立できる条件を定量的に明らかにした。続いて，Bi原料を同時供給し，強誘電体Bi4Ti3O12(BiT)の形成を確認し，各種検討を通じて高アスペクト比トレンチ内に膜厚，組成の均一なBiT膜を形成するに至った。さらに，RuO2電極のSCFDプロセス，ポストアニールに関しても検討した。最終的には，高アスペクト比トレンチ内にBiT，RuO2の積層構造を実現した。
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