(1)半透明な保磁力が10 kOe以上と非常に優れた垂直磁化コバルトフェライト薄膜の形成が成功した。(2)対向式スパッタ装置を用いて、薄膜面内磁気異方性の導入により、方向性の制御できる縞状磁区構造の形成方法を確立した。(3)これらのフェライト薄膜を用いて、テープ剥離法を用いて、フェライト薄膜上に、グラフェン膜の形成を成功した。(4)赤外顕微鏡付きマスクレス露光装置を用いて、電極を作製し、素子を形成した。50MHzから20GHzまでのスピン輸送現象を確認したところ、レーザー発光と考えられる縞状磁区構造の周期(150 ナノメートル)と対応したスピン輸送共鳴現象を確認した。
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