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手法の精度を改善する取り組みとして、前年度に開発した小角散乱電子回折図形の精密記録方式についてさらに改良を重ね、サブピクセル精度でのデータ足し合わせ方法を確立した。これによって足し合わせ結果に表れるボケ関数をより小さくできるようになったため、前年度に開発したデコンボリューションによる強度プロファイル補正方法の適用範囲が広がり、以前よりも明るく集束した電子ビームでの計測も可能となった。これによってデータ取得時間の短縮が実現した。また前年度の強度フィッティング解析に考慮されていなかったレンズ色収差の影響について検討し、電子顕微鏡の回折モードでの光軸調整を行うことにより影響を回避できることを明らかとした。また電子回折取得中の試料ドリフトの影響についてデータ解析を行い、再構成位相精度に重要な影響を与えることが判明した。この問題への対策として、十分に試料ドリフトが止まった後に回折モードに移行することによって、十分な精度での位相像取得が可能であることを確認した。上記の判明した内容を考慮して計測方法の改良を進め、FIB加工によって作製したGaAsのpn接合界面の再構成結果において約0.1radの位相精度を達成することに成功した。また、確立した計測手法を用いて試料エッジから数μm以上離れた観察領域の位相像を高い精度で取得することに成功し、電子線ホログラフィーに対する明確な優位性を示すことに成功した。
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