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シリコン（Si）結晶をSiではない異種基板上、例えば安価なガラス基板上に形成することを目的として研究を行った。
具体的には、アルミニウム誘起層交換成長法を利用し、石英ガラス基板上へのSi結晶の形成実験を行った。結晶化の条件を透過電子顕微鏡（TEM）、電子後方散乱（EBSD）およびラマン分光により調べた。その結果、（111）方向に面内垂直配向した最大384μmのグレインを形成することができた。この値は、これまでにAIC関連で報告されている中で最大のグレインサイズである。こ更に、形成できたSi多結晶膜をテンプレートとした固相エピタキシャル成長およびSiナノワイヤの成長も実証できた。
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