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数百℃の高温環境に設置する容量型MEMSセンサのための信号読取り技術を実証した。高温環境に耐熱性容量型センサ，SiCダイオードブリッジ，およびカップリングキャパシタを設置し，そこから配線を室温環境に伸ばし，Siの信号処理回路に接続する。
まず，pn接合SiCダイオードに白金電極を形成することで，400～600℃の高温でも動作することを確認し，各温度における特性を測定した。また，高温で利用できるダイボンディング，ワイヤーボンディングなどの実装技術を開発した。これらの要素技術を用いて，SiCダイオードブリッジ回路を構成し，高温で試験した。さらに，SiC微細加工技術を開発し，センサ基本構造を試作した。
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