| 研究成果の概要 |
パルスレーザーデポジション法とフォト/ナノインプリントリソグラフィーを融合し、VO2マイクロ/ナノリースタンディング構造体の作製に成功した。サイズは幅5um, 1um, 400nmである。作製したフリースタンディング構造は、340K近傍にて薄膜とほぼ同等の3桁程度の抵抗変化を示し、基板に固定されたデバイスに比べて、2桁以上も小さな電力で金属-絶縁体相転移させることに成功した。幅400nmのデバイスにおいては、ナノ電子相ドメインのナノ構造への補足に起因する、さらに急峻な抵抗変化を確認した。今後の機能性酸化物NEMS分野の展開の基礎を示すことが出来たと判断される。
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