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2015 年度 研究成果報告書

BiS2系層状超伝導体単結晶を用いた固有ジョセフソン素子の作製

研究課題

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研究課題/領域番号 26600077
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 応用物性
研究機関首都大学東京

研究代表者

水口 佳一  首都大学東京, 理工学研究科, 助教 (50609865)

研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2016-03-31
キーワード層状超伝導体 / BiS2系超伝導体 / 単結晶育成 / ジョセフソン素子 / アニール効果 / 基礎物性 / 元素置換効果 / 新超伝導体
研究成果の概要

BiS2系超伝導体RE(O,F)BiS2の単結晶育成に成功した.得られた結晶の超伝導異方性を強磁場中測定で評価し,ジョセフソン素子として利用できることを確認した.また,アニールによるクロス型接合を作製するために,高温での超伝導特性変化を解明した.400℃以下のアニールでは超伝導特性が劣化しなかったため,接合を試みたが,現時点では超伝導接合実現に至っていない.
クロス型接合以外のジョセフソン素子作製法を見出すため,元素置換による非超伝導相の形成を目指し,Sb置換やRE置換により実現した.元素置換効果を研究する中で,新超伝導体Sn1-xAgxTeを発見した.

自由記述の分野

固体物理学

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公開日: 2017-05-10  

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