MBE法を用いてグラフェン上にAlNを成長した。そして、成長温度を低下させることにより、AlN表面の平坦性が向上し、グラフェン表面由来のステップを観測することができた。また、低温でAlNを成長させることによって、電子の移動度の低下とシート電子濃度の上昇をある程度抑制できた。 次に、800 ℃においてグラフェン表面に窒素プラズマを照射した。そして、高温で窒素プラズマをグラフェンに照射することによって、グラフェンがダメージを受け、グラフェンの構造が破壊されていることを明らかにした。 さらに、グラフェン上にBNを低温で成長した。そして、電子の移動度の低下とシート電子濃度の上昇をある程度抑制できた。
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