2016 年度研究成果報告書

流速支援液相成長を用いたGaNテンプレート基板の成長

研究課題

研究課題/領域番号	26600089
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	結晶工学
研究機関	名城大学
研究代表者	成塚重弥名城大学, 理工学部, 教授 (80282680)
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2017-03-31
キーワード	液相成長 / 窒化ガリウム / 流速支援 / 回転攪拌 / メサ加工基板 / マイクロチャンネルエピタキシー / 転位低減化 / 横方向成長
研究成果の概要	流速支援液相成長によるGaNの成長を実現するため、３Dプリンタを用いたボートの設計および試作、LPE装置の改造、成長条件の最適化をおこなった。水車を用いた機械的方式により溶液中に対流を発生し、成長速度およそ0.5um/hの面内均一性の高いGaN層の無添加大気圧成長に成功した。同時に、メサ加工基板を用いたGaNの電流制御型液相成長によるマイクロチャンネルエピタキシーをおこない、c面GaNの平坦性の優れた横方向成長に成功するとともに、隣同士の成長層を合体化することにより平坦膜を得ることに成功した。
自由記述の分野	結晶成長