|
本研究の目的は、超省エネ化に資する次世代ダイヤモンドパワーデバイス実現のために必要なダイヤモンドウェハの大面積（２インチ以上）・低コスト化に関する基盤技術の開発である。具体的には、ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長によりその実現を目指す。
今年度は、昨年度開発したNi基板を用いた自立ダイヤモンド膜作製技術を用いて、その自立ダイヤモンド膜の大面積化技術の開発を試みた。その結果、１インチ角以上の面積を有する多結晶ダイヤモンド自立膜を作製した。また、我々の技術を用いて作製した多結晶ダイヤモンド自立基板上にホウ素ドープしたp層やp+層、そしてリンドープしたn+層の形成を行い、整流性を有するショットキーダイオードやpnダイオードの作製に成功した。
|
