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本研究では，半導体レーザーを高密度に集積した光回路の実現に向けて，サブミクロンサイズの小さな半導体レーザを開発することを目的とした．まず，占有面積を削減しながら共振Q値を高めるために，カプセル型微小金属キャビティ構造を新たに提案し，最適な曲率の側壁を導入することでQ値を大幅に増大できることを理論的および実験的に実証した．続いて，光導波路に結合した構造を実現するために，InP導波路上に金属キャビティ構造を結合させた素子の設計を行い，作製プロセスを開発した．最後に，電流励起レーザー発振を目指すため，光・電気・熱特性を全て考慮した数値計算モデルを新たに構築し，最適設計を完了した．
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