2015 年度研究成果報告書

クラスター支援超高速SiCエピタキシー

研究課題

研究課題/領域番号	26600125
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	プラズマエレクトロニクス
研究機関	東京大学
研究代表者	神原淳東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80359661)
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2016-03-31
キーワード	プラズマ / ナノクラスター / エピタキシャル成長
研究成果の概要	ナノクラスターを成膜前駆体とするメゾプラズマCVDのSiCバルクウエハ製膜への適用可能性について検討を進めた。プロセス圧力の減少に伴ってSiを含む多結晶粒状膜からSiC単相かつ小粒径でファセット性を呈する組織が高速堆積される変化から，クラスターと分子が競合する成膜機構が明らかとなった。分子動力学計算から，急速凝縮に伴い液体様SiCクラスターも生成可能ではあるがC-C原子間の結合が比較的強い特徴も確認され，クラスター支援のSiCの高速エピタキシャル成膜に向けてはC-C結合を抑制しうる非平衡条件の設定が重要であることが示唆された。
自由記述の分野	工学