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2015 年度 実績報告書

Ge-Siへテロ接合による遠赤外線アレイ検出器の均質・広帯域化への挑戦

研究課題

研究課題/領域番号 26610046
研究機関名古屋大学

研究代表者

金田 英宏  名古屋大学, 理学(系)研究科(研究院), 教授 (30301724)

研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2016-03-31
キーワード遠赤外線 / 半導体検出器
研究実績の概要

平成27年度は、遠赤外線フーリエ分光器を用いた波長感度特性評価のための測定系システムの構築、およびデータ処理方法の確立を進めた。これまでに作成された表面活性常温ウェハ接合検出素子を用いて、波長感度特性を取得し、長波長カットオフを見積もった。その結果、Ge用の電極のオ―ミックコンタクトが良好でなく、接合部にバイアス電圧がほとんどかからないという問題が発生した。その問題調査の過程において、接合部に外部から中間赤外線を照射すると感度が増加する現象を発見した。そこで、さまざまな波長の赤外線LEDを購入し、クライオスタット内部から赤外線を照射して感度増加率を定量的に評価し、接合部の物理状態と感度上昇の原因についての理解を進めた。また、半導体パラメータの詳細をホール効果などによって評価した。さらに、電極については、さまざまな電極形成を試した結果、Snが比較的相性が良いことが分かった。そこで、SnGa電極を用いた素子の作成を実施した。

  • 研究成果

    (2件)

すべて 2016 2015

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (1件) (うち国際学会 1件)

  • [雑誌論文] Development of Blocked-Impurity-Band-Type Ge Detectors Fabricated with the Surface-Activated Wafer Bonding Method for Far-Infrared Astronomy2016

    • 著者名/発表者名
      M. Hanaoka, H. Kaneda, S. Oyabu, et al.
    • 雑誌名

      Journal of Low Temperature Physics

      巻: First online ページ: 1-6

    • DOI

      10.1007/s10909-016-1484-1

    • 査読あり
  • [学会発表] Development of Blocked-Impurity-Band-type Ge detectors fabricated with the surface-activated wafer bonding method for far-infrared astronomy2015

    • 著者名/発表者名
      花岡美咲
    • 学会等名
      16th international workshop Low Temperature Detectors
    • 発表場所
      Grenoble, France
    • 年月日
      2015-07-18 – 2015-07-25
    • 国際学会

URL: 

公開日: 2017-01-06  

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