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Ge-Siヘテロ接合を用いて、従来の遠赤外線Ge検出器よりも長波長側まで感度を持つ検出器を開発した。GeとSiの熱膨張係数の違いによって、カットオフ波長が110ミクロンよりも有意に長くなることを実証するために、接合素子を試作し、低温試験を行うためのセットアップを構築した。遠赤外線フーリエ分光器を用いて、外部から赤外線を導入して波長感度を調べたが、データのS/Nが悪く、確定的な結果は得られなかった。その原因を探るべく、さまざまな電極を用いて試験素子を製作した。また、近赤外線LED照射によって感度が変化することを利用して、SiとGeの界面の状態を調査した。
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