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SOIと超伝導検出器を合体させた、新規な暗黒物質探索用検出器を開発し、シリコン基板内でのイオン化収率を測定することを目的とした。挑戦的な研究項目は、Alを用いた超伝導検出器でフォノンを検出することと、0.3Ｋの極低温で動作する超低消費電力のSOIピクセル検出器を開発することである。前者については、リソグラフィー技術を用いた作製技術を確立し、90％以上の歩留りを達成した、超伝導検出器アレイの開発に成功した。Am-241からのα線をシリコン基板に照射することにより、フォノンのパルス信号の観測に成功した。SOIについては、シミュレーションを用いた基本的回路を設計し、実機作製後、性能評価を行った。
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