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走査トンネル顕微鏡を用いたトンネル分光(STM/STS)とバックゲートによる電子状態制御を融合することで、相転移に伴う多様な物理現象をミクロとマクロから統一的に理解できる。このようなアプローチを電子同士が強く相関した遷移金属酸化物へ適用することには大きな意義があるが、そのためには高度な薄膜表面の作製技術が要求される。本研究では、波として振舞う電子を反映した“干渉パターン”を示す高品質な遷移金属酸化物薄膜SrVO3(001)の表面を作製することに成功した。今後、バックゲート誘起の相転移を、STM/STS計測で捉えるための高品質な薄膜表面を作製する基盤を着実に構築することが出来た。
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