| 研究課題/領域番号 |
26610094
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
前田 京剛 東京大学, 総合文化研究科, 教授 (70183605)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | 多バンド超伝導体 / 超流体密度 / 複素電導度 / 磁束フロー / 鉄カルコゲナイドエピタキシャル薄膜 / 臨界温度の上昇 / 超格子 / 相分離の抑制 |
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| 研究実績の概要 |
(1) FeSe1-xTexエピタキシャル薄膜作製において，バルク試料では従来相分離があるために合成不可能とされていた，0.1<x<0.4の試料について，すべて合成することに成功した。その結果，この「合成不可能組成領域」に超伝導臨界温度Tcの最高値があることがわかり，従来バルクで知られていた臨界温度の最高値を1.5倍増大させた（CaF2基板使用）。現在，さまざまな他研究機関との共同研究を実施・計画中であり，そのためにも，CaF2以外の基板を用いた成膜も含めて，継続的に薄膜作製を実施している。
(2) 鉄カルコゲナイド面間距離を調節するために，人工超格子の作製を行った。X線回折，断面TEM等の構造的評価手段により超格子が作製されていることが確認され，さらに，わずかながら臨界温度の上昇も確認された。現在より系統的な異方性制御に取り組んでいる。
(3) ジョセフソン接合作製のための絶縁膜探索を行ったが，現在まだ，「決定版」と言える物質にあたっていない。
(4) 他の多バンド超伝導体の候補として有力な，我々自らが発見したb-Bi2Pdについて，超流体密度，超伝導状態での複素電気伝導度，磁束フロー抵抗の測定などを行い，この物質が多バンド超伝導体であることをより確固たるものにした。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
H26年度，鉄カルコゲナイドエピタキシャル薄膜作製の研究において，当初我々自身も予期しなかった大きな発見・進展があったため，我々のチームのかなりの部分のエネルギーをそちらに裂くことになってしまったため，本研究においておおむね順調に進んだものの計画以上には進展しなかった主たる理由である。
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| 今後の研究の推進方策 |
当初計画した内容は，科学的にも全うなものであり，特別な方針の変更はおこなわず，当初方針に従って研究を推進したい。
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