我々はこれまでに、側鎖に液晶メソゲンを有する両親媒性液晶ブロック共重合体が、薄膜中で基板に対して完全垂直配向した高規則性ヘキサゴナルシリンダー型のミクロ相分離構造薄膜を形成することを報告している。本研究では、n型の有機半導体分子であるペリレンジイミド(PDI)をメソゲン部に導入した新規両親媒性ブロック共重合体を合成し、薄膜中でスフィア型のミクロ相分離構造を形成することを見出した。薄膜中でPDIユニットはエキシマー形成が可能な程度まで近接しており、ホッピングによる電荷移動が可能な距離にあることが判った。
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