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本研究課題では、微小磁性体内の局所領域におけるスピンの電界効果を評価できる新規の「高周波電界イメージング計測技術」の構築を目指して、高周波電界の検出方式の確立を行うとともに、GHz帯でのスピンの電界効果の評価に向けた課題を抽出した。検出方式に関しては、振幅変調方式と電界のうなり方式に関して検討を行い、いずれの方式においてもSi探針により伝送線路上で発生するGHz帯の高周波近傍電界を検出できることを確認した。また、伝送線路上の高周波近傍電界分布計測から、検出部のSi探針を含むカンチレバの誘電材料特性の改良が課題である。以上の知見から、新規の高周波電界イメージング計測技術の構築が可能である。
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