2015 年度研究成果報告書

グラフェンをベースとしたホットエレクトロントランジスタの電流利得向上

研究課題

研究課題/領域番号	26630121
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東京大学
研究代表者	長汐晃輔東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (20373441)
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2016-03-31
キーワード	グラフェン / ホットエレクトロントランジスタ
研究成果の概要	グラフェンの原子層厚さという特徴を最大限生かすことのできる原子層ベースホットエレクトロントランジスタの作製と実証を試みた．高信頼性絶縁膜形成として，メタルバッファー層のアルゴン雰囲気下での低レート堆積後，バッファー層上への原子層堆積法によるY2O3堆積を確立した．作成した原子層ベースホットエレクトロントランジスタでは，Ion/Ioffが２桁程度取れており，先行研究と比較して高い電流利得を得ることに成功した．
自由記述の分野	半導体デバイス