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2015 年度 研究成果報告書

強誘電体薄膜を用いたReRAM型高機能不揮発メモリの開発と機構解明

研究課題

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研究課題/領域番号 26630126
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関金沢大学

研究代表者

森本 章治  金沢大学, 電子情報学系, 教授 (60143880)

研究分担者 川江 健  金沢大学, 理工研究域, 准教授 (30401897)
研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2016-03-31
キーワード強誘電体 / 不揮発メモリ / 抵抗変化型メモリ / 希土類添加ビスマス鉄酸化物 / 書き込み / 読み出し / 保持特性 / 疲労特性
研究成果の概要

NdをドープしたBiFeO3(BNF)強誘電体を用いた抵抗変化メモリ素子(Fe-ReRAM)の作製と評価を行った。
リーク電流に影響されない特殊なパルス測定法(PUND)法を用いて強誘電特性を評価した結果、作製した試料の抵抗変化は主に強誘電体の自発分極に基づくことを確認した。作製した試料は30μsの書き込み時間でも約1000のON/OFF比を達成しており、書き込み時間のさらなる高速化が期待できる。保持特性及び疲労特性の結果より1万秒の保持時間、10万回の疲労サイクルにおいてON/OFF比が維持されていることを確認した。

自由記述の分野

電子材料デバイス

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公開日: 2017-05-10  

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