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酸化膜で覆われたSiナノワイヤのNi化反応の分子動力学シミュレーションを実施した。ナノワイヤが細くなるほど酸化膜が誘起するストレスが増大しNi拡散速度が抑制されること、一方で酸化膜付近に誘起される格子乱れによってNi拡散が促進されることが明らかになった。この傾向は実験でも確認された。酸化膜形成後の熱処理により細いナノワイヤの格子が乱れることがラマン分光計測で明らかにされ、Ni化反応が促進されることが判明した。これらの結果は、Siナノワイヤの金属コンタクト形成プロセスにおいて、酸化膜誘起の格子乱れが反応速度を決める重要な因子となっていること示している。
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