ジグザグ型にカイラリティのそろった、炭化ケイ素(SiC)基板上に成長させたカーボンナノチューブ(CNT)フォレストを基板として用いて、そのカイラリティを引き継ぐCNTフォレストを、CVDの手法を応用して無触媒で成長させた。その研究内容として、①酸化亜鉛とカーボンをSiC基板上に堆積し、この2層マスクが1600℃の高温でマスクの機能を果たし、選択成長を実現した。②高温過酸化水素水処理により曲率の大きいCNTのキャップ部分を選択的に除去することに成功した。③メタン・水素系ガス雰囲気において、900℃以上でCNTの再成長を確認した。今後、CNTフォレストのSiCオーミック電極応用などが期待される。
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