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入射角可変テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリの開発を行い、導電性高分子PEDOT:PSS薄膜の異方的キャリア伝導の解析を行った。入射角度は30～75度の範囲で可変であり、複数の入射角度でエリプソメトリックパラメータを測定を行い、異方的キャリア伝導を仮定した光学モデルを構築することにより、導電性高分子薄膜の面内及び垂直方向の光学伝導度を数値解析により求めた。得られた光学伝導度の周波数依存から、面内方向は、乱れた金属状態の伝導ネットワーク形成が示唆され、垂直方向は局在準位間のホッピング伝導的な振る舞いを示すことが明らかになった。
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