| 研究課題/領域番号 |
26630141
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
高橋 庸夫 北海道大学, 情報科学研究科, 教授 (90374610)
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| 研究分担者 |
有田 正志 北海道大学, 大学院情報科学研究科, 准教授 (20222755)
森江 隆 九州工業大学, 生命体工学研究科, 教授 (20294530)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | 抵抗変化メモリ / 多値メモリ / 不揮発性機能デバイス / ニューラル素子 / 電子顕微鏡 |
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| 研究成果の概要 |
ニューラルネット応用に適用可能な抵抗変化メモリ（ReRAM）実現に向けて、制御端子による抵抗変化の可能性について、その動作原理の確認から見通しを得た。
ReRAM開発では、動作原理の不明確さが実用化の壁となっている。ナノスケールで生じる構造変化の把握が難しいためで、解決法として、TEM中でReRAMを動作させて電気特性と構造変化の対応を取るTEMその場観察法がある。これまでは2端子ReRAMに対して有効性が示されてされてきた。今回、多端子に対応可能なTEMその場観察技術を構築し、Cu/WOxu系のReRAMに適用してCuフィラメントの成長を確認し、その機構から制御ゲートが機能する可能性を示した。
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| 自由記述の分野 |
電子工学
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