|
三次元半導体実装用金属バンプに用いられる銅はヤング率が結晶方位によって異なる材料である．本研究では，実装構造内残留応力低減のため，ヤング率が最も低い(100)面に配向した銅バンプ作製を可能とするめっき条件，下地材料の探索を行った．(001)面配向のβ-Taバリア層上に銅シード層を形成しめっき成膜した銅薄膜で(100)面配向の増加を確認した．このめっき銅薄膜のヤング率をナノインデンテーション試験により評価したところ，(111)面配向単結晶銅より約20 GPaも小さいヤング率（平均127 GPa）を得た．以上より，結晶方位を制御しためっき銅バンプの作製による低ヤング率化の実現可能性を実証した．
|
