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半導体技術は、エネルギー・空間的にバンドギャップを制御するバンドエンジニアリングにより発展したが、現在のバンドエンジニアリングは、組成制御やドーピングによるものであり、外部から変調することは難しい。本研究では、次世代バンドエンジニアリングとしてナノカーボンに注目し、MEMS技術を用いた歪印可素子を開発し、歪によるバンドギャップ変調技術の構築を行う。
本年度は、電気測定が可能となる歪印可素子の作製を試みた。ここでは、カーボンナノチューブを固定するとともに電気測定での電極となる支持電極、片支持構造を湾曲させて歪を印加するための動作電極に加えて、局所的なゲート電圧が可能な局所ゲート電極を2つ備えた新たなデバイス開発を試みた。その結果、これらの電極を有する片支持歪印可素子の微細加工に成功した。このデバイスに対して、カーボンナノチューブを成長させることで、歪印加可能なデバイス作製に成功した。ただし、所望の梁―支持電極間だけではなく、動作電極やゲート電極へもCNTが形成されたが、このような不要なCNTは、通電によって除去可能であることを示した。この素子において、歪印加によるPL波長シフトの観測に成功した。
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