研究課題
挑戦的萌芽研究
通常の半導体材料では、バンドエンジニアリングは組成制御やドーピングにより行われるため、外部から変調することは難しい。本研究では、次世代バンドエンジニアリングとしてナノカーボンに注目し、MEMS技術を用いた歪印可素子を開発し、歪によるバンドギャップ変調技術の構築を行った。その結果、カーボンナノチューブへ歪印加可能なデバイス作製に成功し歪印加によるPL波長シフトの観測に成功した。
半導体工学
