|
「室温でのGa2O3単結晶性薄膜の作製と新規なワイドギャップ酸化物半導体の創製」と題した本研究では、バンドギャップがGaNよりも大きくダイヤモンド並みの約5eVを有し、紫外発光や紫外太陽電池・大電流パワー素子として有望視されるGa2O3薄膜を対象として、原子レベルで超平坦な原子ステップサファイア単結晶基板上にNiO薄膜緩衝層を付けてから、非晶質Ga2O3薄膜を堆積後に、紫外パルスレーザーアニールを施し、室温でβ-Ga2O3エピタキシャル（単結晶性）薄膜を固相結晶成長させることに成功した。得られた原子レベルで平坦表面を持つGa2O3薄膜の電気特性、および発光吸収特性を系統的に評価した。
|
